fib和sem区别,fibsem
TEM测试离子减薄和聚焦离子束系统
1、TEM测试中的离子减薄和聚焦离子束系统是两种不同的样品处理技术:离子减薄:定义:使用高能粒子或中性原子去除样品至薄层,以便在TEM中观察。应用材料:主要用于陶瓷、复合材料、半导体和合金等材料。特点:相对于电解抛光等传统方法,离子减薄更为安全,对人体无害。
2、透射电子显微镜(TEM)测试时需要对样品进行减薄。常规方法有电解抛光,但对人体有害。另一种方法则是离子减薄,使用高能粒子或中性原子去除样品至薄层,以便在TEM中观察。这种技术主要用于各种材料,如陶瓷、复合材料、半导体和合金等,聚焦离子束(FIB)系统是其中最知名的设备。
3、自动化程度高:现代离子减薄仪通常配备有自动控制系统,可以实时监控减薄过程,自动化程度高,减少了人为操作的不确定性。 可以与其他技术联用:例如,可以与聚焦离子束(FIB)技术联用,进行更精细的样品制备,FIB技术在制作TEM样品时,不仅能够精确定位,还能做到不污染和损伤样品。
多种检测维度,让电池基础研发走得更远、更深
由于电子显微镜具备更高的分辨率,在电池研发中,搭配不同的探头,可以得到多维度的信息(成分、表征信息,粒度尺寸,配料占比等),实现对正负极材料、导电剂、粘结剂及隔膜等更微观结构的检测(观察材料的形貌、分布状态、粒径大小、存在的缺陷等)。 常用的观察样品表面形貌的电子显微镜是扫描电子显微镜(SEM)。
刘玉湛提到,哈曼汽车事业部引入了多种创新功能,如通过双声道模拟环绕声、虚拟场馆模式等,让用户可以在车内体验歌剧院或演唱会的沉浸式氛围。 随着行业的快速变革,哈曼正引领着消费者驾乘体验的革新。
谢乐成觉得,SDA项目是长安汽车非常大的一个变化,它完全跟以前的正“V”型研发体系不一样,它是一种DevSecOps的敏捷开发的观念,并且,现在的软件是一个迭代会发布200多个版本,而且,在这个过程中代码会持续集成、持续测试。
ODP独特的平铺设计,并中置在电池包与地板中间,不仅能够释放更多的驾乘空间,还能使ODP单元处于密闭隔离空间中,更有效进行安全防护,最大程度避免因碰撞引发的安全风险。
从12V磷酸铁锂小电池到比亚迪秦,从第二代DM插混技术到公交电动化的推进,从磷酸铁锂电池的研发到整车安全性能的提升——每一步都标志着比亚迪闻名遐迩的“技术鱼池”正一年年地“水涨鱼多”,比亚迪的爆发期即将来临。 崛起 成为全球新能源领导者 王传福的坚持终于迎来柳暗花明,2020年比亚迪迎来技术大爆发。
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需要知道的半导体测试仪器
1、KLA缺陷测试仪:针对半导体表面缺陷,提供快速分类、统计和判断功能,适用于多种制程监控。 金属膜厚测量仪与FIB:金属膜厚测量仪精准测量膜厚,FIB系统则进行纳米级加工,FIB与SEM结合的DualBeam系统拥有更强综合能力。
2、半导体测试设备主要分为探针台、分选机、测试机等。探针台和分选机实现机械功能,将被测晶圆/芯片拣选至测试机进行检测。测试机实现测试功能,测试半导体器件的电路功能、电性能参数,涵盖直流参数、交流参数、功能测试等。
3、热成像仪:热成像仪可以用于检测IGBT模块工作时的热量分布情况,帮助识别潜在的热问题和不良连接。
4、半导体测试要求极高精度,尤其是在先进工艺节点。WAT测试系统的核心挑战在于实现高精度测量,如电流测量分辨率达到1fA,测量精度达到sub-pA级,并具备高测试效率。联讯仪器专注于电性能测试测量领域,自主研发核心仪表,推出了WAT6200、WAT6600等测试系统,即将推出WAT6300。
FIB-SEM的原理及应用
FIB-SEM主要功能包括电子束成像、离子束刻蚀、气体沉积、显微切割等,用于微纳结构加工、截面分析、TEM样品制备、三维原子探针样品制备、芯片修补与线路修改、三维重构分析等。
FIB-SEM在材料科学中的应用广泛,从离子束成像、切割到沉积/增强刻蚀,以及电子束成像,都为材料科学的研究提供了有力的工具。通过FIB切割后,使用SEM成像可以得到材料任意微观截面的电子相图。
FIB-SEM的主要功能包括电子束成像、离子束刻蚀、气体沉积、显微切割,制备微米大小纳米厚度的超薄片试样,以及综合SEM成像、FIB切割及EDXS化学分析等。应用方面,FIB-SEM广泛用于微纳结构加工、截面分析、TEM样品制备、三维原子探针样品制备、芯片修补与线路修改以及三维重构分析等。
离子束切割-FIB:离子束切割功能通过高压大电流加速离子撞击样品表面,实现物理性破坏,完成切割任务。金属镓(Ga)常用于离子源,因其稳定性好、熔点低、抗氧化能力强。在切割过程中,电子束与离子束同时工作,样品需保持与离子束垂直,确保切割精度。
聚焦离子束(FIB)技术作为纳米级分析与制造的主要方法,已广泛应用于半导体集成电路修改、切割和故障分析等领域。其核心原理基于电透镜将液相金属离子源产生的镓离子束聚焦成微小尺寸的显微切割仪器。具体应用分为四类:成像、蚀刻、沉积薄膜以及离子注入。
显微光热分布系统通过CCD测量光强分布和芯片的光热分布,用于确认异常区域,是定位漏电位置的重要补充手段。FIB-SEM则结合离子束和扫描电子显微镜,实现微区成像、分析和操纵,对于芯片的深入研究和问题定位有着重要作用。金鉴实验室整合这些技术,开发出完整的芯片漏电点定位解决方案。
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