sem和edx区别，semeds

SEM扫描电镜能谱(EDS)分析中必须要明白的几个重要问题

EDS分析的定量精度依赖于标准和误差规定，对于平坦、无水的试样，标准允许总量误差小于±3%。但对于不平坦试样，可能需要进行归一化处理或半定量分析。TEM的定量分析更为复杂，因为薄样品可能导致厚度难以准确测量，影响定量结果。最后，关于EDS谱峰，谱线多并不表示元素含量高，而是电子壳层结构的反映。

EDS谱峰中可能看不到前面的谱峰，这可能是由于样品位置周围存在大颗粒或厚介质，导致轻元素X射线吸收严重，影响分析结果。此时，可以尝试更换样品位置或比较其他区域的分析结果，以判断原结果的可靠性。

分析 SEM 扫描电镜图片，首先要观察整体形貌，留意样品的大致形状、尺寸及表面宏观特征，如是否有明显的凸起、凹陷、裂纹等，对样品有初步的整体认识。接着聚焦微观结构，仔细查看颗粒大小、形状、分布以及它们之间的连接方式等细节，判断是否存在团聚、孔隙等情况。

EDS为能谱或能谱仪的正规用法，代表能量色散。EDX代表能谱学，尽管一些文章仍使用其他说法，但EDS应为文章中的正规用法。TEM与SEM的能谱误差：用于TEM的能谱分辨率通常低于SEM几个eV，因此TEM的能谱误差并不一定比SEM小。

SEM干货知识|扫描电子显微镜SEM与EDX能谱分析

1、扫描电子显微镜(SEMs)在材料表征中扮演着关键角色，特别在研究微小尺寸材料时。它们利用电子成像，分辨率高于光学显微镜。扫描电子显微镜通过电子束扫描样品表面，产生图像。镜筒必须处于高真空环境，以保护电子枪和提高图像质量。SEM镜筒顶部的电子枪生成电子，当电子热能超过源材料功函数时释放出来，加速至阳极。

2、扫描电镜（SEM）的核心功能在于通过电子束获取样品的微纳尺度信息，主要依靠背散射电子（BSE）和二次电子（SE）生成高分辨率图像。然而，SEM中还隐藏着能谱分析（EDX）这一强大工具，它揭示了样品的更多细节。当电子与样品表面相互作用时，产生的信号涵盖了形貌、电子结构和化学成分等多元信息。

3、扫描电子显微镜中的背散射电子和二次电子成像提供了不同的信息。背散射电子来自样品较深区域，其图像显示出原子序数的敏感性；原子序数越高，图像区域越亮。二次电子来自表面区域，能反映更详细的表面信息。

电镜能谱(EDS),扫描电镜与透射电镜能谱对比-科学指南针

电镜能谱(EDS)与扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)的能谱分析有所差异。虽然早期EDS有多种缩写，如EDS、EDX和EDAX，但现今共识是EDS代表能谱或能谱仪，而EDX则用于指能谱学。

样品制备很简单。目前，所有的扫描电镜设备都配备了x射线能谱仪，可以同时观察微观组织和形貌，分析微区成分。因此，它是当今非常有用的科学研究工具。2．透射电子显微镜在材料科学和生物学中有着广泛的应用。由于电子容易散射或被物体吸收，穿透率低，样品的密度和厚度会影响最终成像质量。

能谱仪(EDS，Energy Dispersive Spectrometer)是用来对材料微区成分元素种类与含量分析，配合扫描电子显微镜与透射电子显微镜的使用。其原理是：当X射线光子进入检测器后，在Si（Li）晶体内激发出一定数目的电子空穴对。

XRD、IR、SEM、EDS及紫外可见吸收的测试原理及具体分析步骤(材料测试...

XRD：主要是测试材料的物性，晶型的。高级的XRD还可以测试材料不同晶型的组分。

BET法主要用于测量材料的比表面积，通过计算氮气吸附-脱附等温线，可以得到材料的比表面积信息。BET法在催化、吸附和纳米材料等领域有着广泛的应用，对于研究材料的物理性质和应用潜力至关重要。XRD技术主要用于测试材料的物性、晶型等信息。

扫描电子显微镜（SEM）能够放大样本至约20万倍，利用二次电子成像原理来观察物质的微观形态。 能量色散X射线光谱仪（EDS）通过检测不同元素特有的电子能量差异来鉴定元素。它通常与SEM配合使用，即在SEM中安装EDS附件，以便在观察样本形态的同时，对特定区域进行元素分析。

XRD的测试原理，是Bragg方程，即nλ=2*d*sinθ，其中λ为入射线波长，d为晶面间距，θ为衍射角。换言之，XRD对于晶体结构的测试才是有效的。因为晶体都会存在其特有的结晶学特征，也就是空间点阵，14种Bravais格子代表了其晶格类型，晶面参数又限定了其节点间的相对数量关系。

SEM，EDS，XRD的区别，SEM是扫描电镜，EDS是扫描电镜上配搭的一个用于微区分析成分的配件——能谱仪。能谱仪(EDS，Energy Dispersive Spectrometer)是用来对材料微区成分元素种类与含量分析，配合扫描电子显微镜与透射电子显微镜的使用。XRD是X射线衍射仪，是用于物相分析的检测设备。

半导体芯片集成电路失效分析概述

半导体芯片集成电路的失效分析是集成电路产业中不可或缺的重要环节，这个高度技术密集、资本密集的行业对于国家信息安全和经济发展具有战略意义。失效分析不仅是对量产样品的检测，也应用于设计和客退品的处理，通过它能降低成本，缩短周期，提升产品质量和安全性。

失效模式是指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。失效机理是指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。这些信息对于设计工程师改进或修复芯片设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。

半导体芯片失效分析是一种关键的技术手段，用于确保元件的质量和可靠性。它包括五个主要类别：物理特征分析（PFA）、破坏性物理分析（DPA）、结构分析（CA）、失效分析（FA）以及适用性评价分析（EA）。PFA针对假冒和翻新问题，通过抽样、破坏性试验和对比原厂特征数据库，鉴别元器件的真实性。

失效原因在于失效LV MOS线路为芯片ESD设计薄弱处，测试时有大电压或大电流通过，引起本征击穿。失效分析手法包括非破坏性分析、半破坏性分析等，最终通过物理分析和透射电镜发现LV MOS漏极到栅极击穿，导致ESD防护能力不稳定。